Пашикова Т.Д., Хайиткулиев С.
СОЗДАНИЕ ФОТОПРИЕМНИКОВ СОЛНЕЧНОГО УФ ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ ЭКОЛОГИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ *
Аннотация:
разработаны высокоэффективные фотоприемники (ФП) видимого и УФ излучения на основе Au-окисел (Ga2O3(Fe))-n-GaAs0.6P0.4 наноструктур. Использование фильтра УФС-2 вместо сапфирового окна, в стандартном корпусе существенно смещает максимум спектра фоточувствительности коротковолновой УФ области (h?m?3,65 эВ). Такой фотоприемник чувствителен только к УФ излучению экологического диапазона (h?=3,1-4,43 eV).
Ключевые слова:
УФ фотоприемники, МДП-структура, фоточувствительность, УФС-2 фильтр, экологические исследования.
Широкозонное бинарное соединение оксид галлия ????2??3 вызывает большой интерес в качестве нового материала для микро- и наноэлектроники и уже используется в ультрафиолетовой (УФ) нанофотоэлектронике. В последнее время усилился интерес к полупроводниковым фотоприемникам (ФП) ультрафиолетового (УФ) диапазона спектра [1-2]. Наиболее преспективными приборами в этом спектральном диапазоне являются ФП на основе структур металл (М) – полупроводник (П) с тонким окисным слоем (ОС) между полупроводником и металлом. Настоящая работа посвящена исследованиям фоточувствительности (ФЧ) Au?????2??3(????)?n?GaAs0,6P0,4 наноструктур в области энергии фотонов ???=1,5?6,1 ???? с целью создания фотоприемников УФ излучения, а также определения ширины запрещенной зоны оксида ????2??3 (????????), легированного железом ????, и выяснению его влияния на спектр фототока барьеров Шоттки. Для изготовления Фотоприемников на основе n?GaAs0,6P0,4 использовалась технология, аналогичная описанной в [2]. После химического травления смесью ????24%+??2??5????(96%) с последующей промывкой в этаноле, поверхность n?GaAs0,6P0,4 обрабатывалась этаноловым раствором бромида железа (????????2?6??2??). Присутствие железа (????) в оксидном слое ????2??3(????) было установлено с помощью растрового микроскопа и фотоэлектрическим методом. Основные результаты проиллюстрированы на рис.1. а,б,в. В УФ области спектра обнаружены новые закономерности. В интервале 3,2?4,2 ???? имеется участок практически постоянной ФЧ (??1?0,15?0,18 ??/Вт). На интервале 4,2?5,1 ???? с увеличением ??? ФЧ уменьшается и при ???=5,1 ???? наблюдается минимум ФЧ. На интервале 5,1?6,1 ???? опять происходить рост ФЧ с увеличением ???. При освещении ???>5 ???? в GaAs0,6P0,4 МПД наноструктуре начинается процесс лавинного умножения носителей заряда и слой диэлектрика участвует в создании дополнительного фототока.
Номер журнала Вестник науки №11 (68) том 1
Ссылка для цитирования:
Пашикова Т.Д., Хайиткулиев С. СОЗДАНИЕ ФОТОПРИЕМНИКОВ СОЛНЕЧНОГО УФ ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ ЭКОЛОГИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ // Вестник науки №11 (68) том 1. С. 899 - 902. 2023 г. ISSN 2712-8849 // Электронный ресурс: https://www.вестник-науки.рф/article/10704 (дата обращения: 17.05.2024 г.)
Вестник науки СМИ ЭЛ № ФС 77 - 84401 © 2023. 16+