'
Пашикова Т.Д., Хайиткулиев С., Бегенджова Г.М.
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОСТРУКТУРИРОВАННОГО AU-GA2O3-N-GAAS0.6P0.4 ДИОДА ШОТТКИ *
Аннотация:
разработаны высокоэффективные фотоприемники (ФП) видимого и УФ излучения на основе Au-окисел (Ga2O3)-n-GaAs0.6P0.4 наноструктур. Использование фильтра УФС-2 вместо сапфирового окна, в стандартном корпусе существенно смещает максимум спектра фоточувствительности коротковолновой УФ области (h?m?3,65 эВ). Такой фотоприемник чувствителен только к УФ излучению экологического диапазона (h?=3,1-4,43 eV).
Ключевые слова:
УФ фотоприемники, МДП-структура, фоточувствительность, УФС-2 фильтр, экологические исследования.
Номер журнала Вестник науки №10 (67) том 5
Ссылка для цитирования:
Пашикова Т.Д., Хайиткулиев С., Бегенджова Г.М. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОСТРУКТУРИРОВАННОГО AU-GA2O3-N-GAAS0.6P0.4 ДИОДА ШОТТКИ // Вестник науки №10 (67) том 5. С. 699 - 705. 2023 г. ISSN 2712-8849 // Электронный ресурс: https://www.вестник-науки.рф/article/10559 (дата обращения: 19.05.2024 г.)
Вестник науки СМИ ЭЛ № ФС 77 - 84401 © 2023. 16+
*